Los científicos de la corporación IBM informaron sobre la creación de una tecnología revolucionaria para memorias de ordenador de cambio de fase (phase-change memory, PCM por sus siglas en inglés). De acuerdo con el informe de prensa emitido por la compañía, la nueva memoria puede guardar y leer los datos 100 veces más rápido que la actualmente habitual memoria flash.

La tecnología PCM está basada en una aleación especial que puede adoptar diversos estados físicos bajo la influencia de una carga eléctrica. El nuevo tipo de memoria puede utilizarse en un amplio rango de aparatos: desde servidores corporativos a dispositivos móviles.

Una de las limitaciones que tiene la memoria flash es que una celda permite guardar solo un bit de datos. A diferencia de la memoria flash, la PCM permite ´colocar´ cuatro bits en una celda. El documento indica que la memoria de cambio de fase podría acelerar el inicio del ordenador hasta hacerlo instantáneo y aumentar considerablemente la productividad y efectividad de los sistemas informáticos.

Además, a diferencia de la memoria flash, que puede resistir unos 30.000 ciclos de escritura en los sistemas corporativos y unos 3.000 ciclos de escritura en los dispositivos orientados a consumidores domésticos, la PCM es muy segura y permite realizar hasta 10 millones de ciclos. Los ingenieros de IBM esperan que la nueva tecnología conlleve “un cambio del paradigma” hacia 2016 en todos los sistemas de almacenamiento de datos, incluidos aquellos que se apoyan en la tecnología de la computación en nube.